功能描述：MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：120V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：70A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：207.1nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：11384pF @ 60V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：405W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.7 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：I2PAK

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

标准包装：50

PSMN6R3-120PS

PSMN6R4-30MLDX

PSMN6R5-25YLC

PSMN6R5-25YLC,115

PSMN6R5-30MLDX

PSMN6R5-80BS

PSMN6R5-80BS,118

PSMN6R5-80PS

PSMN6R5-80PS,127

PSMN6R5-80PSPB-FREE